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雪崩InGaAs單元探測(cè)器 APD系列帶寬800MHz

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

InGaAs雪崩單元探測(cè)器 APD系列帶寬800MHz

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-07

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問(wèn)量：1013

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
組成要素	半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,建材/家具,電子/電池

總覽

雪崩InGaAs單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

InGaAs雪崩InGaAs單元探測(cè)器 APD系列帶寬800MHz InGaAs雪崩InGaAs單元探測(cè)器 APD系列帶寬800MHz

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

內(nèi)置高壓電源

APD溫度補(bǔ)償

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

產(chǎn)品應(yīng)用

光纖傳感

光纖通信

激光測(cè)距

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品型號(hào)

APD-100M-A

APD-200M-A

APD-300M-A

APD-400M-A

APD-500M-A

APD-600M-A

APD-800M-A

APD-1G-A

APD-1.2G-A

APD-1.5G-A

APD-2G-A

APD-2.5G-A

APD-5G-A

單位

探測(cè)器類型

InGaAs

波長(zhǎng)

800~1700

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1.2G

1.5G

2.5G

響應(yīng)度

V/W

跨阻增益

300K

100K

50K

300K

200K

150K

30K

V/W

輸出阻抗

飽和功率

NEP

0.46

pW/√(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

供電電壓

供電電流

0.5(max)

光學(xué)輸入

FC/APC（自由空間光可選）

FC/APC

射頻輸出

SMA

外形尺寸

65*50*20

65*50*25

80*90*25

測(cè)試結(jié)果

上一個(gè)：APD130C/M(DP)雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb）

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