Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-07

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

訪問(wèn)量：1085

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類(lèi)

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
組成要素	半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備	產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,建材/家具,電子/電池

總覽

Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)

Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm,Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

內(nèi)置高壓電源

APD溫度補(bǔ)償

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

產(chǎn)品應(yīng)用

光纖傳感

光纖通信

激光測(cè)距

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	APD-100M-B	APD-200M-B	APD-300M-B	APD-400M-B	APD-500M-B	APD-1G-B	APD-2G-B	單位
探測(cè)器類(lèi)型	Si
波長(zhǎng)	400~1100							nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	1G	2G	Hz
響應(yīng)度	25	25	25	25	25	25	25	A/W@850nm
跨阻增益	300K	300K	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	Ω
飽和功率	13	13	13	13	13	13	30	uW
NEP	0.18	0.18	0.18	0.18	0.18	0.2	0.2	pW/√(Hz)
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC（自由空間光可選）
射頻輸出	SMA
外形尺寸	655020