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  • 當前位置:首頁產品中心光電探測器Si硅光電探測器硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-140MHz)

    硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-140MHz)

    產品簡介

    筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器

    產品型號:
    更新時間:2024-12-06
    廠商性質:經銷商
    訪問量:1349
    詳細介紹在線留言
    品牌其他品牌價格區間面議
    組成要素半導體激光器產品及設備產地類別進口
    應用領域化工,建材/家具,電子/電池

    硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測器,用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數數據參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔,可以方便的安裝固定。 外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈,這兩種螺紋接圈分別適合于工業應用和科研應用,可以方便適配外部光學部件,如濾光片,衰減片,鏡頭,FC光纖轉接盤等。該產品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節。 每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源,該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。



    硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-140MHz),硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-140MHz)
    光譜響應
    400-1100nm
    帶寬(Hz)
    140 MHz
    通用參數

    產品特點:

    低噪聲,小于±lmV

    過沖小,過沖電壓小于2.5%

    增益穩定:增益誤差小于1%

    暗偏置電壓輸出噪聲:小于ImV (rms)


    應用領域:

    •顯示面板檢測

    •LED照明頻閃分析

    •玩具燈閃爍頻率及功率測量

    •氣體分析


    搜狗截圖20220217135438.png



    參數

    PN#

    PDAM005B-Si

    PDAM36A5B6G-SI

    PDAM20A6B4G-InGaAs

    電器特性




    輸入電壓

    ±9VDC, 60mA

    ±9VDG 100mA

    ±9VDC. 100mA

    探頭

    Silicon PIN

    Silicon PIN

    InGaAs PIN

    感光面

    2.65mm * 2.65mm

    3.6mm * 3.6mm

    Diameters@2 mm

    波長

    400 nm - 1100 nm

    320 nm - 1100 nm

    800 nm - 1700 nm

    (Optional Extended

    (可選擴展)   2600nm)

    峰值響應

    0.62A/W @850nm

    0.6 A/W @960nm

    0.9 A/W@1550nm


    43.6mV/uW @850nm

    1 mV/nW @960nm

    9mV/uW@1550nm

    飽和光功率

    113pW@ 850nm (Hi-Z)

    6uW @960nm (Hi-Z)

    660 uW@1550nm (Hi-Z)

    帶寬

    DC •-5MHz

    DC - 200kHz

    DC - 5MHz

    NEP

    7.2 pW/4HZ1/2

    2.2 pW/HZ1/2

    64.5 pW/HZ1/2

    輸出噪聲(RMS)

    700 uV

    1 mV ?typ

    1.3 mV .typ

    暗電流偏置(MAX)

    ±5 mV

    ±1 mV

    ±5 mV

    上升沿/下降沿(10%—90%)

    65 ns

    1.7 us

    68ns

    輸出電壓




    Hi-Z

    0- SV (Hi-Z)

    0-6V (Hi-Z)

    0-6V (Hi-Z)

    500

    0 • 2.5V (50ohm)

    0 • 25V (50ohm)

    0 • 25V (50ohm)

    增益倍數




    Hi-Z

    67.5 kV/A

    1.68 MV/A

    10 kV/A

    500

    33.8 kV/A

    0.84 MV/A

    5kV/A

    增益精度(typ)

    ±1%

    ±1%

    ±1%

    其他參數





    撥動開關

    撥動開關

    撥動開關

    輸出接口

    BNC

    BNC

    BNC

    尺寸

    53*50*50mm

    53*50*50mm

    53*50*50mm

    重量

    150g

    150g

    150g

    操作溫度

    10-50deg

    10-50deg

    10-50deg

    存儲溫度

    ?25°C - 70°C

    -25°C - 70°C

    -25°C - 70°C

     



    硅基光電探測器,帶放大,固定增益,型號參考
    目錄波長帶寬上升時間增益RMS噪聲NEP感應面積工作溫度電源
    Hi-Z 負載50Ω 負載
    PDA12A8B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 140MHz2.5 nS1*10V/A5*103 kV/A850µV .typ2*10-11 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含(±9V)
    PDA12A7B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 50MHz7 nS5*10V/A2.5*104 kV/A800µV .typ6.3*10-12 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含(±9V)
    PDA25A6B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 5MHz68 nS1*10V/A5*104 V/A700µV .typ5.3*10-12 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含(±9V)
    PDA36A5B6G-VIS320 - 1100 nmDC - 200KHZ1.7 µS1.68*106 V/A8.4*105 V/A1mV .typ2.2*10-12 W/√HZ3.6mm*3.6mm10-50℃包含(±9V)
    PDA25A4B8G-VIS400 - 1100 nmDC - 20KHZ18 µS1*10V/A1.5mV .typ1.8*10-13 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含(±9V)




    光譜靈敏度







    交流傳輸特性



    外觀及安裝使用




    測試案列:

    測試光源:

    PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

    SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

    測試條件:25℃、激光器電流掃描15-23mA,探測器輸出如下圖。


    此款探測器在972nm時,探測精度高,微弱光(幾十微瓦)也可以探測到。



    尺寸圖




     


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