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  • 當前位置:首頁產品中心半導體連續激光器VCSEL激光器850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

    850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

    產品簡介

    筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
    850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

    產品型號:
    更新時間:2024-12-06
    廠商性質:經銷商
    訪問量:1814
    詳細介紹在線留言
    品牌其他品牌價格區間面議
    組成要素半導體激光器產品及設備產地類別進口
    應用領域化工,建材/家具,電子/電池

    850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器 850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

    我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。


    通用參數

    產品特點:

    單橫模和單縱模

    偏振穩定發射

    低功耗

    高可靠性

    高斯光束分布

    背面陰極和頂部陽極配置

    通過RoHS認證

     

    產品應用:

    激光鼠標

    光學傳感器應用

    光電編碼器

     

    光電特性:

    操作條件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

     

    參數

    符號

    最小

    典型

    最大

    單位

    備注

    閾值電流

    ITH

    1

    3

    5

    mA

    T = 25°C

    斜率效率

    η

    0.20

    0.40

    0.65

    mW/mA

    T = 25°C, I = Ith+1mA

    工作電流

    IOP

    2.3


    6

    mA

    T = 25°C, Pop=0.55mW

    工作電壓

    UOP



    2.3

    V

    工作條件

    微分電阻

    Rd

    20


    90

    ?

    T = 25°C,   Pop=0.55mW

    SM光輸出功率

    PSM

    0.9



    mW

    T = 25°C

    邊模抑制比

    SMSR

    10



    dB

    T = 25°C, Pop=0.9mW

    偏振方向的精度

    δpo

    -15


    +15

    deg

    T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

    發射波長

    λpeak

    840

    850

    860

    nm

    工作條件

    光束發散性

    θFW1/e2

    13

    17

    21

    deg

    T = 25°C, Pop=0.5mW

    光功率隨溫度的變化

    P(T) – Pop

    -200


    +120

    µW

    Iop, T=5...45°C

    SM=單個模式;FW1/e2=全寬1/e2

     

    絕對最大額定參數

    參數

    最大值

    單位

    備注

    連續工作電流

    8

    mA

    3

    連續反向電壓

    8

    V


    PCB焊料或回流溫度

    260

    °C

    最多10秒

     

    封裝尺寸:芯片尺寸

    參數

    最小

    典型

    最大

    備注

    芯片寬度

    135

    155

    175

    µm

    芯片長度

    135

    155

    175

    µm

    芯片厚度

    135

    150

    165

    µm

     


     


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