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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器 Si硅光電二極管超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm

超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm

器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問(wèn)量：1173

產(chǎn)品咨詢 18602170419

product

產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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400-828-1550

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm

器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。法蘭式SI光電探測(cè)器光敏面積200um超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm

光譜響應(yīng)

400-1100nm

感光規(guī)格

8mm ?

技術(shù)參數(shù)

特點(diǎn)：

平面正照結(jié)構(gòu)

快速響應(yīng)

低暗電流

高響應(yīng)度

高可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域：

光纖通信、傳感、測(cè)距

可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)

快速光脈沖檢測(cè)

各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

產(chǎn)品參數(shù)：

參數(shù)

符

號(hào)

測(cè)試

條件

典型值

單位

光敏面尺寸

Φ0.2

Φ0.5

Φ1

Φ2

Φ4

Φ5

Φ8

0.5X0.5

1X1

1.3X1.3

2X2

3X3

光參數(shù)

光譜響應(yīng)

范圍

400~1100

響應(yīng)度

VR=15V

λ=900nm

0.40

0.45

0.5

0．55

0.45

0.5

A/W

響應(yīng)時(shí)間

VR=15V，

RL=50Ω

3.5

電參數(shù)

暗電流

VR=15V

反向擊穿

電壓

VBR

IR=10μA

100

電容

f=1MHz

VR=15V

0.8

1.2

2.0

6.0

工作電壓

0~15

管座型號(hào)

同軸 II 型、5501、

TO46、插拔式、帶尾纖

T0-5

TO-8

同軸 II 型、5501、

TO46、插拔式、T05

T0-5

飽和光功率?0.3w/cm2

*器件的光敏面尺寸及技術(shù)指標(biāo)可根據(jù)用戶的使用要求而定;具體參數(shù)及器件管殼使用引腳詳見產(chǎn)品附帶參數(shù)表.

封裝尺寸：

封裝圖片	尺寸信息	訂購(gòu)代碼
		C-II
		TO46
		5501
		TO5A
		TO5B
		TO8
		FC-SA
		ADP

注意事項(xiàng)

該器件在反向偏置電壓下工作,注意器件極性不能接反。

光纖彎曲度不能小于 45 度。

器件在貯運(yùn)、使用中注意靜電防護(hù)措施。

法蘭式SI光電探測(cè)器光敏面積4mm

上一個(gè)：MP-Si-02-ADP法蘭式SI光電探測(cè)器光敏面積200um 二極管

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超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

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超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm

器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。