2-12um , MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測器 PVMI-2TE系列

PVMI-2TE-8 PVMI-2TE-10.6 系列是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級TE冷卻紅外多結(jié)光伏探測器，采用光學浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達到優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能佳。這是一款特別適用于在2-12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSe

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更新時間：2024-12-05

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產(chǎn)品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

2-12um , MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測器 PVMI-2TE系列

PVMI-2TE-8 PVMI-2TE-10.6 系列是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級TE冷卻紅外多結(jié)光伏探測器，采用光學浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達到優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能佳。這是一款特別適用于在2-12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。

光譜響應

2.0-12um

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點

● 可探測中紅外光波范圍2-12μm

● 可配專用前置放大器

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現(xiàn)光學浸沒，有效提升探測效率

● 帶有防反射涂層窗口鏡，避免不必要的干擾

● 帶有兩級TE冷卻，有效提高探測效率

產(chǎn)品應用

● 醫(yī)學熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

參數(shù)	探測器型號
參數(shù)	PVMI-2TE-8	PVMI-2TE-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長λopt（μm）	8	10.6
相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	≥2.5×109	≥1.5×109
相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	≥2×109	≥1×109
電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W	≥0.1
時間常數(shù)T，ns	≤4	≤3
電阻R,Ω	150-1000	90-350
元件工作溫度Tdet,K	~230
感光面尺寸A,mm×mm	1×1
封裝	TO8，TO66
接收角Φ	～36°
窗口	wZnSeAR

TO8型封裝外形尺寸圖

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學區(qū)域面積AO；mm×mm	1×1
R,mm	0.8
A,mm	3.2±0.30

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離

2TE-TO8引腳定義

功能	PIN號
探測器	1,3
反向偏壓（可選）	1（-）,3（+）
熱敏電阻	7,9
TE冷卻器供應	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4，5，6，10，12