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  • 當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器2-12um MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列

    2-12um MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列

    產品簡介

    2-12um 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列

    PV-4TE系列是基于復雜的MCT異質結構的四級熱電冷卻紅外光電探測器,具有優秀的性能和穩定性。探測器在λopt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射

    產品型號:
    更新時間:2024-12-05
    廠商性質:經銷商
    訪問量:1039
    詳細介紹在線留言
    品牌其他品牌產地類別進口
    應用領域化工,能源,建材/家具,電子/電池

    2-12um MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列

    PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光探測器,具有優秀的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有他本身的最佳性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

    光譜響應
    2.0-12um
    技術參數

    產品特點

    ● 可探測中紅外波長范圍2-12μm

    ● 可配專用前置放大器

    ● 1mm×1mm大尺寸光敏面

    ● 帶有抗反射涂層窗口鏡

    ● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現光學浸沒,有效提升探測效率


    產品應用

    ● 醫學熱成像

    ● 紅外光譜分析

    ● 中紅外氣體吸收檢測

    ● 中紅外激光探測



    參數

    探測器型號

    PVI-2TE-3

    PVI-2TE-3.4

    PVI-2TE-4

    PVI-2TE-5

    PVI-2TE-6

    PVI-2TE-8

    PVI-2TE-10.6

    有源元件材料

    外延MCT異質結構

    最佳波長λopt,μm

    3

    3.4

    4

    5

    6

    8

    10.6

    探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

    ≥8×1011

    ≥6×1011

    ≥4×1011

    ≥2×1011

    ≥7×1010

    ≥4×109

    ≥2×109

    探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

    ≥5.5×1011

    ≥3×1011

    ≥3×1011

    ≥9×1010

    ≥4×1010

    ≥2×109

    ≥1×109

    電流響應度Ri(λopt),A/W

    ≥0.5

    ≥0.8

    ≥1.3

    ≥1.3

    ≥1.5

    ≥0.8

    ≥0.4

    時間常數T,ns

    ≤280

    ≤200

    ≤100

    ≤80

    ≤50

    ≤45

    ≤10

    電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

    ≥15000

    ≥300

    ≥200

    ≥10

    ≥2

    ≥0.02

    ≥0.01

    有源元件溫度Tdet,K

    ~230

    感光面面積AO,mm×mm

    0.5×0.5,1×1

    0.05×0.05

    封裝

    TO8,TO66

    接收角Φ

    ~36°

    窗口

    wAl2O3

    wZnSeAR


    TO8型封裝外形尺寸圖

    23.jpg

    參量

    數值

    浸沒微型透鏡形狀

    超半球形

    光學區域面積AOmm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    4.1±0.3

    3.2±0.3

    備注:

    ?—接收角度;

    R—超半球微型透鏡半徑

    A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


    2TE-TO8引腳定義

    功能

    PIN號

    探測器

    1,3

    反向偏壓(可選)

    1(-),3(+)

    熱敏電阻

    7,9

    TE冷卻器供應

    2(+),8(-)

    底板接地

    11

    未使用

    4,5,6,10,12


    2TE-TO66封裝尺寸圖

    參量

    數值

    浸沒微型透鏡形狀

    超半球形

    光學區域面積AO;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    5.15±0.30

    3.2±0.30

    備注:

    ?—接收角度;

    R—超半球微型透鏡半徑

    A—2TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


    TO66引腳定義

    功能

    PIN號

    探測器

    7,8

    反向偏壓(可選)

    7(-),8(+)

    熱敏電阻

    5,6

    TE冷卻器供應

    1(+),9(-)

    未使用

    2,3,4

    探測器光譜響應特性曲線

    PVI-2TE.png

    熱敏電阻特性曲線

    PV-2TE1.jpeg

    兩級TE冷卻參數表

    參量

    數值

    Tdet , K

    ~230

    Vmax , V

    1.3

    Imax , A

    1.2

    Qmax , W

    0.36


    抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

    PV-2TE2.jpeg


    2-12um MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列


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