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  • 當前位置:首頁產品中心光學無源器件晶體/棱鏡/窗片TL-ZP-401紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe

    紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe

    產品簡介

    紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe 本產品由于具有*的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學非線性晶體,在中紅外和遠紅外應用方面已經贏得了人們極大的興趣。它們的應用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對溫

    產品型號:TL-ZP-401
    更新時間:2024-12-04
    廠商性質:經銷商
    訪問量:1333
    詳細介紹在線留言
    品牌其他品牌產地類別進口
    應用領域醫療衛生規格7x5x15mm

    紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe 本產品由于具有*的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學非線性晶體,在中紅外和遠紅外應用方面已經贏得了人們極大的興趣。它們的應用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學非線性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對溫度穩定性和振動控制沒有苛刻的要求,可以進行良好的機械加工( GaSe除外)。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS


    1、AgGaS2 硫鎵銀晶體

    AgGaS2簡稱AGS晶體,中文名是硫鎵銀晶體,他的透光波段為0.53至12 µm。雖然其非線性光學系數在上述提到的紅外晶體中是最小的,但是其邊緣為550 nm短波長高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量應用于利用二極管、摻鈦藍寶石、Nd:YAG和紅外燃料激光器進行的差頻混頻實驗,直接紅外對抗系統,以及CO2激光倍頻。通過信號和飛秒OPO系統駐波的差頻,硫鎵銀晶體薄片在中紅外波段超短脈沖發生方面用的很普遍。


    14 mm長鍍增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶體的透過光譜


    AgGaS2晶體1型 OPO 和SHG調諧曲線



    2、ZnGeP2晶體(簡稱ZGP晶體),磷鍺鋅晶體

    ZnGeP2磷鍺鋅晶體的透光波段為0.74至12 µm,其中有用的透光范圍從1.9至10.6 µm。 ZnGeP2擁有最大的非線性光學系數和較高的激光損傷閾值。它成功地應用于以下應用領域:

    ■ 通過與10.6 µm 波長混頻的 CO2激光的上轉換;

    ■ CO和 CO2 激光輻射的和頻;

    ■ 脈沖式CO、CO2 和DF化學激光的高效倍頻;餌和鈥激光泵浦時的中紅外OPO光的發生。

    E K S M A 光 學 提 供 具 有 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶體,更好的適應OPO或OPA應用,然后泵浦2.05-2.1 µm,鍍增透膜。




    ZnGeP2晶體1型OPO和SHG調諧曲線




    ZnGeP2晶體在2 µm附近的吸收光譜




    15 mm長鍍增透膜ZnGeP2晶體OPO@2.1 µm 的透過光譜


    3、AgGaSe2 硒鎵銀晶體

    AgGaSe2硒鎵銀晶體晶體的透光波段在0.73至18 µm波段之間。其有用透光范圍0.9-16 µm及寬的相匹配能力,在被多種當前常用激光泵浦時,能為OPO應用提供具潛力的應用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下,已經獲得2.5-12 µm的波長,以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下,獲得1.9-5.5 µm的非臨界相位匹配操作。脈沖式CO2激光的高效倍頻已經得到證明。




    AgGaSe2晶體1型OPO和SHG調諧曲線




    18 mm長無鍍膜AgGaSe2晶體的透過光譜


    25 mm長鍍增透膜的AgGaSe2晶體的透過光譜



    4、GaSe硒化鎵

    GaSe 硒化鎵晶體 的 透 光 波 長 在 0 . 6 5 至18 µm之間. GaSe晶體已經成功的應用于以下方面:CO2 激光的高效倍頻,脈沖式CO、CO2和DF化學 激光(λ = 2.36 µm)倍頻,CO和CO2激光向可見光的上轉換,通過釹和紅外燃料激光器或(F-)-centre激光脈沖的差頻混頻產生紅外脈沖,3.5–18 µm范圍內 OPG光的發生,飛秒脈沖泵浦時0.2-5 THz范圍的高效太赫茲發生。由于材料結構(沿(001)平面切開)限制了應用領域,為了得到特定相位匹配角的晶體切割是不可能的。





    物理特性:

    晶體

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    晶體對稱性

    四方

    四方

    四方

    六角

    立方閃鋅礦

    點群

    42m

    42m

    42m

    62m

    43m

    晶格常數, ? a

    5.465

    5.9901

    5.757

    3.742

    6.1037

    c

    10.771

    10.8823

    10.305

    15.918

    -

    密度, g/cm3

    4.175

    5.71

    4.56

    5.03

    5.633



    光學特性:

    晶體

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    透光范圍,µm

    0.74-12

    0.73-18

    0.53-12

    0.65-18

    0.65-17

    折射率@






    1.06 µm

    no

    3.2324

    2.7005

    2.4508

    2.9082

    2.7779

    ne

    3.2786

    2.6759

    2.3966

    2.5676

    5.3 µm 

    no

    3.1141

    2.6140

    2.3954

    2.8340

    2.6974

    ne

    3.1524

    2.5823

    2.3421

    2.4599

    10.6 µm

    no

    3.0725

    2.5915

    2.3466

    2.8158

    2.6818

    ne

    3.1119

    2.5585

    2.2924

    2.4392



    吸收系數, cm-1 @






    1.06um

    3.0

    <0.02

    <0.09

    0.25

    -

    2.5um

    0.03

    <0.01

    0.01

    0.05

    -

    5.0um

    0.02

    <0.01

    0.01

    0.05

    -

    7.5um

    0.02

    -

    0.02

    0.05

    -

    10.0um

    0.4

    -

    <0.06

    0.05

    -

    11.0um

    0.8

    -

    0.06

    0.05

    -



    非線性光學特性:

    晶體

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    激光損失閾值, MW/cm2

    60

    25

    10

    28

    -

    @脈寬, ns

    100

    50

    20

    150

    -

    @波長, µm

    10.6

    2.05

    1.06

    9.3

    -

    非線性, pm/V

    111

    43

    31

    63

    -

    Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg

    76

    55

    67

    14

    -

    Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57

    0.57

    0.67

    0.85

    3.4

    -



    熱學特性:

    晶體

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    熔點, oC

    1298

    851

    998

    1233

    1295

    熱膨脹系, 10-6/oK






    17.5(a)

    23.4(c)

    12.5

    9.0

    8.0

    9.1(b)

    18.0(d)

    -

    -

    -

    1.59(a)

    -6.4(c)

    -13.2

    8.25

    -

    8.08(b)

    -16.0(d)

    -

    -

    -

    @ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K



    計算折射率的SELLMEIER方程:

    晶體

    A

    B

    C

    D

    E

    F

    表達式

    ZnGeP2

    no

    8.0409

    1.68625

    0.40824

    1.2880

    611.05

    -

    n2=A

    +Bλ2/(λ2-C)

    +Dλ2(λ2-E)

    ne

    8.0929

    1.8649

    0.41468

    0.84052

    452.05

    -

    AgGaSe2

    no

    6.8507

    0.4297

    0.15840

    0.00125

    -

    -

    n2=

    A+B/(λ2-C)

    -Dλ2

    ne

    6.6792

    0.4598

    0.21220

    0.00126

    -

    -

    AgGaS2

    no

    3.3970

    2.3982

    0.09311

    2.1640

    950.0

    -

    n2=

    A+B/(1-C/λ2)

    +D/(1-E/λ2)

    ne

    3.5873

    1.9533

    0.11066

    2.3391

    1030.7

    -

    GaSe

    no

    7.443

    0.405

    0.0186

    0.0061

    3.1485

    2194

    n2=

    A+B/λ2+C/λ4+D/λ6

    +E/(1-F/λ2)

    ne

    5.76

    0.3879

    -0.2288

    0.1223

    1.855

    1780

    ZnTe

    No, ne

    9.92

    0.42530

    0.37766

    2.63580

    56.5

    -

    n2=

    A+B/(λ2-C2)

    +D/(λ2/E2-1)



    可以根據客戶要求提供的其它晶體有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

    ZnTe/碲化鋅:

    碲化鋅晶體在<110>方向被用于通過光整流過程來產生太赫茲。光整流效應是晶體的二階非線性光學效應,也是一種特殊的差頻效應。對于有一定帶寬的飛秒激光脈沖,不同的頻率分相互作用產生從0到幾太赫茲的帶寬。太赫茲脈沖的整流是通過碲化鋅晶體另一個<110>方向內自由空間電光整流產生的。太赫茲脈沖和可見光脈沖在碲化鋅晶體內直線傳播時,太赫茲脈沖在碲化鋅晶體內產生雙折射,這一現象被線偏振可見光脈沖讀出。當可見光脈沖和太赫茲脈沖同時在同一晶體內傳播時,可見偏振光在太赫茲脈沖作用下產生旋光,用一個λ/4波片和一個分束偏振器以及一組平衡光電二極管,通過監控可見光脈沖從碲化鋅晶體出射后的偏振旋轉相對于太赫茲脈沖的一組延遲時間,就可以監測太赫茲脈沖的振幅軌跡。能夠讀出完整的電場、振幅和延遲,是時域太赫茲光譜的魅力之一。

    碲化鋅也被用于紅外光學元件基板和真空沉積。我們可提供尺寸為?40x30 mm的光學元件。


    注意: 碲化鋅含有微氣泡,這并不影太赫茲的產生,然而,它們在晶體被照明時的投影下是可見的。我們不接受關于晶體內有氣泡的投訴。



    如何訂購:ZnGeP2 (ZGP) Crystals

    貨號

    Size, mm

    θ

    φ

    鍍膜

          標注

       交貨期

    TL-ZP-401

    7x5x15 mm

    54°

    AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

    OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

    3周

    TL-ZP-402

    7x5x20 mm

    54°

    AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

    OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

    3周

     TL-ZP-403

    7x5x25 mm

    54°

    AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

    OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

    6周



    AgGaS2 (AGS) Crystals

    貨號

    Size, mm

    θ

    φ

    鍍膜

    標注

    含稅單價

    交貨期

    TAGS-401H

    5x5x1 mm

    39°

    45°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

    9800 元

    1周

    TAGS-402H

    6x6x2 mm

    50°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

    16450元

    聯系我們

    TAGS-403H

    5x5x0.4 mm

    34°

    45°

    BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

    SHG @ 3-6 μm, Type 1

    12300元

    1周

    TAGS-801H

    8x8x0.4 mm

    39°

    45°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

    26800元

    1周

    TAGS-802H

    8x8x1 mm

    39°

    45°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

    23490元

    1周

    AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.


    關于質量控制實驗室:

    Terahertzlabs光學的質量控制實驗室通過使用高度專業化的設備和工藝,能夠為客戶提供高質量的精密光學元件。質量控制實驗室配備了防振光學平臺、層流罩和超聲波清洗機,此外還配備了一系列高精度的測量設備來進行各種各樣的測試。


    光學測試:

    1, Genesys-2 分光光度計:用于200-1100 nm波段透過率的精密測量;

    2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透過率和反射率的精密測量,激光光  束直徑<1 mm;

    3,  ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波長測量面形和透過波前畸變的計算機控制科學干涉儀,標準具精度lambda/20;

    4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波長1064、532、355和266 nm,用于晶體角切精度測量、晶體效率和方向性測試;

    5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;

    6,G-5 Ganiometers – 用于測量棱鏡和楔角片角度,以及平面光學元件

    的平行度和塔差;

    7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大顯微鏡,帶CCD相機,用于表面質

    量檢測;

    8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;

    實驗室能力:

    光學實驗室具有如下能力:

    1,光學和幾何參數測量,如焦距、折射率、曲率半徑、角度和塔差,用于波長轉換(二、三次倍頻)的光軸方向測量;

    2,表面質量測量,按照MIL、ISO或DIN標準;

    3, 平面度測量:波前畸變(反射和透過光束);

    4, 棱鏡和楔角片角度測量,平面元件的平行度測量;

    5,材 料 和 薄 膜 鍍 膜 光 譜 測 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 過 率 測 量 ( 2 0 0 -2300 nm);

    6, 用ZEMAX軟件進行光學設計。

    關于晶體選擇列表僅供客戶參考:

    A-F系列

    G-H系列

     L-N系列

     P-Z系列

    Al2O3

    GaTe

    LaAlO3

    PbWO4

    Al

    GaN

    LiTaO3

    PbF2

    Au

    GaP

    LiNbO3

    PbS

    Ag

    Ga:ZnO

    LiF

    PIN-PMN-PT

    AlN 單晶

    GdScO3

    LSAT

    PMN-PT

    BaF2

    GaSb

    LaF3

    SrTiO3 (國產,進口,Ti面終止SrTiO3)

    BaTiO3

    GaAs

    LiAlO2

    SrLaAlO4

    BGO

    Graphite(普通;熱解)

    LGS 硅酸鎵鑭

    SrLaGaO4

    BSO

    GaSe

    LiGaO2

    Si(?超薄Si片)

    Bi2Te3

    GGG (Gd3Ga5O12)

    LGT鉭酸鎵鑭

    SiC?(4H,6H,3C)

    Bi2Se3

    Ge

    MgAl2O4 

    SBN

    Bi2Se2Te

    Hg(1-x)Cd(x)Te

    MgF2

    SiO2(玻璃和單晶)

    Bi2Te2Se

    InP

    MgO

    Si-Ge

    BP 黑磷

    InAs

    MoSe2

    TiO2(銳鈦礦型,金紅石型)

    CdS

    InSb

    MoS2

    TbScO3

    CsI (TI)

    KH2PO4

    MoTe2

    TGG

    CaCO3

    KTaO3

    MgO:LiNbO3

    TeO2

    Cu(單晶)

    KTa 1-X NbXO3

    NdCaAlO4

    WTe2

    CdSe

    KCl

    NaCl

    WS2

    Ce:Lu2SiO5

    KTN

     Nb:SrTiO3 (國產,進口)

    WSe2

    CdWO4

    HOPG

    NdGaO3

    YAG

    CdZnTe


    NaCl

    YSZ

    CdTe


    Ni

    YAlO3

    CeF2



    YVO4

    CaF2



    ZnTe

    DyScO3



    ZnSe

    Fe:SrTiO3



    ZnO

    Fe3O4



    ZnS

    Fe2O3



    Zero diffraction plate (Si 和SiO2)


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