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  • 當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心BPD-Si-100M-BSi(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

    Si(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    Si(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz:工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100MHz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm

    產(chǎn)品型號(hào):BPD-Si-100M-B
    更新時(shí)間:2024-12-04
    廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
    訪(fǎng)問(wèn)量:2001

    product

    產(chǎn)品分類(lèi)
    tel-phone

    400-828-1550

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    產(chǎn)品型號(hào) BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B

    技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品特點(diǎn)

    噪聲低

    高增益

    高帶寬

    結(jié)構(gòu)緊湊

    內(nèi)置低噪隔離電源


    應(yīng)用領(lǐng)域

    分布式光纖傳感

    激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

    光學(xué)相干層析

    光譜測(cè)量

    ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


    技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號(hào)

    BPD-Si-100M-B

    BPD-Si-200M-B

    BPD-Si-350M-B

    BPD-Si-500M-B

    BPD-Si-1G-B

    單位

    探測(cè)器型號(hào)

    Si

    波長(zhǎng)

    400~1100

    400~1100

    400~1100

    400~1100

    400~1100

    nm

    帶寬

    100M

    200M

    350M

    500M

    1G

    Hz

    探測(cè)器響應(yīng)度

    0.55@850nm

    0.55@850nm

    0.55@850nm

    0.55@850nm

    0.55@850nm

    A/W

    跨阻增益

    30K

    30K

    30K

    30K

    30K

    V/A

    飽和輸入光功率

    250

    250

    250

    250

    250

    μW

    NEP

    12

    12

    12

    13

    13

    pW/Sqrt(Hz)

    共模抑制比

    >25

    >25

    >25

    >25

    >25

    dB

    輸出阻抗

    50

    50

    50

    50

    50

    Ω

    輸出耦合方式

    DC/AC

    DC/AC

    DC/AC

    AC

    AC


    供電電壓

    5

    5

    5

    12

    12

    V

    供電電流

    0.5(max)

    0.5(max)

    0.5(max)

    0.5(max)

    0.5(max)

    A

    光學(xué)輸入

    FC/APC(自由空間可選)

    FC/APC(自由空間可選)

    FC/APC(自由空間可選)

    FC/APC(自由空間可選)

    FC/APC(自由空間可選)


    射頻輸出

    SMA

    SMA

    SMA

    SMA

    SMA


    外形尺寸

    62*47*25

    62*47*25

    62*47*25

    62*47*25

    62*47*25

    mm





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