<strike id="go8ec"><acronym id="go8ec"></acronym></strike>
  • <rt id="go8ec"><delect id="go8ec"></delect></rt>
  • <strike id="go8ec"></strike>
    <strike id="go8ec"><acronym id="go8ec"></acronym></strike>
  • 當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器

    中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    2-12μm MCT 中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有好性能。

    產(chǎn)品型號(hào):
    更新時(shí)間:2024-12-04
    廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    訪問量:1162
    詳細(xì)介紹在線留言
    品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
    應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材/家具,電子/電池

    PVI-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

    產(chǎn)品特點(diǎn)

    可探測(cè)中紅外波長(zhǎng)范圍2-12μm

    可配專用前置放大器

    1mm×1mm大尺寸光敏面

    帶有抗反射涂層窗口鏡

    帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,有效提升探測(cè)效率

    封裝及尺寸

    TO8型封裝外形尺寸圖

    23.jpg

    參量

    數(shù)值

    浸沒微型透鏡形狀

    超半球形

    光學(xué)區(qū)域面積AOmm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    4.1±0.3

    3.2±0.3

    備注:

    ?—接收角度;

    R—超半球微型透鏡半徑

    A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


    2TE-TO8引腳定義

    功能

    PIN號(hào)

    探測(cè)器

    1,3

    反向偏壓(可選)

    1(-),3(+)

    熱敏電阻

    7,9

    TE冷卻器供應(yīng)

    2(+),8(-)

    底板接地

    11

    未使用

    4,5,6,10,12


    2TE-TO66封裝尺寸圖

    參量

    數(shù)值

    浸沒微型透鏡形狀

    超半球形

    光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    5.15±0.30

    3.2±0.30

    備注:

    ?—接收角度;

    R—超半球微型透鏡半徑

    A—2TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


    TO66引腳定義

    功能

    PIN號(hào)

    探測(cè)器

    7,8

    反向偏壓(可選)

    7(-),8(+)

    熱敏電阻

    5,6

    TE冷卻器供應(yīng)

    1(+),9(-)

    未使用

    2,3,4

    產(chǎn)品應(yīng)用

    醫(yī)學(xué)熱成像

    紅外光譜分析

    中紅外氣體吸收檢測(cè)

    中紅外激光探測(cè)

    技術(shù)參數(shù)

    參數(shù)

    探測(cè)器型號(hào)

    PVI-2TE-3

    PVI-2TE-3.4

    PVI-2TE-4

    PVI-2TE-5

    PVI-2TE-6

    PVI-2TE-8

    PVI-2TE-10.6

    有源元件材料

    外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)

    最佳波長(zhǎng)λopt,μm

    3

    3.4

    4

    5

    6

    8

    10.6

    探測(cè)靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

    ≥8×1011

    ≥6×1011

    ≥4×1011

    ≥2×1011

    ≥7×1010

    ≥4×109

    ≥2×109

    探測(cè)靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

    ≥5.5×1011

    ≥3×1011

    ≥3×1011

    ≥9×1010

    ≥4×1010

    ≥2×109

    ≥1×109

    電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

    ≥0.5

    ≥0.8

    ≥1.3

    ≥1.3

    ≥1.5

    ≥0.8

    ≥0.4

    時(shí)間常數(shù)T,ns

    ≤280

    ≤200

    ≤100

    ≤80

    ≤50

    ≤45

    ≤10

    電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

    ≥15000

    ≥300

    ≥200

    ≥10

    ≥2

    ≥0.02

    ≥0.01

    有源元件溫度Tdet,K

    ~230

    感光面面積AO,mm×mm

    0.5×0.5,1×1

    0.05×0.05

    封裝

    TO8,TO66

    接收角Φ

    ~36°

    窗口

    wAl2O3

    wZnSeAR

    探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

    PVI-2TE.png

    熱敏電阻特性曲線

    PV-2TE1.jpeg

    兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表

    參量

    數(shù)值

    Tdet , K

    ~230

    Vmax , V

    1.3

    Imax , A

    1.2

    Qmax , W

    0.36


    抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

    PV-2TE2.jpeg

    (更多關(guān)于MCT探測(cè)器 MCT探測(cè)器 )




    在線留言

    留言框

    • 產(chǎn)品:

    • 您的單位:

    • 您的姓名:

    • 聯(lián)系電話:

    • 常用郵箱:

    • 省份:

    • 詳細(xì)地址:

    • 補(bǔ)充說明:

    • 驗(yàn)證碼:

      請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果(填寫阿拉伯?dāng)?shù)字),如:三加四=7
    主站蜘蛛池模板: 闸北区| 三原县| 涟源市| 新建县| 饶阳县| 章丘市| 陇南市| 邹城市| 革吉县| 全州县| 宁远县| 孙吴县| 响水县| 家居| 马山县| 文山县| 固镇县| 东兰县| 台东县| 驻马店市| 兴化市| 大宁县| 翼城县| 宽城| 普兰县| 克什克腾旗| 腾冲县| 荣成市| 和顺县| 沅陵县| 康马县| 陵川县| 烟台市| 蒲江县| 平泉县| 胶南市| 莒南县| 饶平县| 长宁区| 汶川县| 临颍县|